功能描述：TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

制造商：epc

系列：eGaN?

包装：剪切带（CT）

零件状态：有效

FET 类型：3 N 沟道（半桥 + 同步自举）

FET 功能：GaNFET（氮化镓）

漏源极电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.7A，500mA

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：320 毫欧 @ 2A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：0.16nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：16pF @ 50V

功率 - 最大值：-

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：模具

供应商器件封装：模具

标准包装：1

EPC2108ENGRT

EPC2801

EPC2815

EPC2818

EPC2C20Q240C8

EPC2L120

EPC2LC20

EPC2LC20CAD

EPC2LC20N

EPC2LC20NUBAF48